Железный сайт

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
Главная Новости железа Samsung представили SSD на базе чипов памяти 3D V-NAND
Samsung представили SSD на базе чипов памяти 3D V-NAND
Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 
Автор: Administrator   
15.08.2013 15:38

Представители компании Micron не так давно говорили о том, что флэш-память 3D NAND не будет широко представлена на рынке до 2015 года. Но, несмотря на это, компания Samsung уже представили первые коммерческие твердотельные диски, которые выполнены на базе микросхем 3D NAND. На проходящем в эти дни форуме Flash Memory Summit 2013, представители компании Samsung официально представили линейку своих новых SSD для корпоративных клиентов на базе микросхем 3D V-NAND.

Samsung представили SSD на базе чипов памяти 3D V-NAND

Если Вы присматриваете себе комплектующие для будущего апгрейда, то накопители на базе 3D V-NAND неплохо подойдут в качестве новых компонентов системы. 

Пресс-релиз компании также содержит информацию о том, что 3D V-NAND память включает в себя двухбитовые ячейки. По крайне мере, за данной памятью прочно закрепилась аббревиатура MLC. Данный тип памяти способен хранить в элементарной управляемой области 2 заряда. Специалисты с ресурса EE Times допустили ошибки при расчете техпроцесса, по которому  производятся 3D V-NAND. Ведь, если учесть, что ячейка 3D V-NAND содержит 2 бита данных, то кристаллы 3D V-NAND вполне могут производиться по нормам 45 нм техпроцесса. Представители Samsung никак не комментируют данные сведения.

Чётких данных насчет показателей скоростей чтения/записи пока нет. Производитель заявляет  о том, что модели твердотельных дисков 3D V-NAND емкостью 480 и 960 Гбайт работают на 20 процентов быстрее, чем их аналоги на памяти выполненной по техпроцессу 10 нм. Имеется в виду, что они имеют лучше показатели по скорости операций со случайными блоками и последовательной записи. Количество циклов стирания ячеек равно 35 тысяч.

С начала массового использования флэш памяти NAND MLC, выполненной в соответствии с нормами 40-50 нм, количество циклов стирания данных понизилось до десяти тысяч. Данная величина справедлива, если не используются различные механизмы коррекции ошибок. А вот какой техпроцесс был использован при производстве памяти 3D V-NAND пока неизвестно.

Накопители Samsung 3D V-NAND будут иметь интерфейс SATA 6 Гбит/с и 2,5 дюймовый форм-фактор. Даты начала продаж неизвестно, как и цены накопителей.

Автор: Administrator
Источник: Железный сайт



Похожие материалы:

Понравилась новость? Поделись с друзьями!

Обновлено 12.10.2015 23:19
 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Заметили ошибку в тексте?

Сообщите админу - выделите текст с ошибкой и нажмите Shift+Enter.
Спасибо!

Подписка на новости сайта


Ваше имя или ник:

Ваш email:

Авторизация

Популярные статьи