Железный сайт

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
Главная Оперативная память Обзор модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7 - Результаты разгона модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7
Обзор модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7 - Результаты разгона модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7
Рейтинг пользователей: / 5
ХудшийЛучший 
Автор: Александр Мунин   
27.03.2010 10:01
Индекс материала
Обзор модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7
Спецификации памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7
Подробный осмотр модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7
Тестовый стенд и методика тестирования
Результаты разгона модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7
Сравнение производительности для различных таймингов памяти
Тестирование памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7 в бенчмарках
Потребляемая мощность и температура
Заключение

Результаты разгона модулей памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7

Теперь, когда введение, спецификации и осмотр позади, мы переходим к сути данного обзора, и попробуем память G.Skill ECO PC3-12800 CL7 в разгоне. Перед тем, как начинать тестирование полезно будет узнать в каких режимах и с какими таймингами память будет работоспособна. Обычно память, оптимизированная для чипсета Intel Р55 платформ i5 и i7, производится на основе чипов Elpida, и используются либо BBSE, либо более дорогие чипы Hyper.

Учитывая цену данного комплекта, мы можем исключить чипы Hyper, а для характеристик 800 МГц с таймингами 7-8-7 на 1.35 в, можно предположить множество вариантов. Чипы могут быть или BBSE с низким рабочим напряжением или вовсе не Elpida, а, например Samsung 40 нм, который работает на 1.35 в, а может быть даже Micron или Hynix. Также из результатов, которые мы видели у других пользователей данного комплекта, можно даже заключить, что G.Skill использвали различные IC для данной памяти. В любом случае мы не можем Вам однозначно сказать, что за чипы используются в модулях ECO.

В результате тестирования мы обнаружили, что тайминг TRCD является главным фактором, влияющим на разгон по частоте. Немного удивило то, что тайминги CAS или TRP, при установке их значений больше 6, абсолютно ничего давали в плане увеличения максимальной стабильной частоты данной памяти. А установка значений данных таймингов выше 6 была контрпродуктивна, так как субтайминги ослабляются вместе с CAS. Напряжения мы устанавливали от 1.35 в примерно до 1.58 в. Мы уже видели ранее некоторые результаты для данного комплекта на напряжении 1.65 в, но они не превышали наши на 1.58 в. Таким образом, в данном тестировании мы выбрали верхнюю планку напряжения 1.55 в. Напряжение поднимали по 0.1 в. На диаграмме ниже приведены результаты для памяти ECO при значениях напряжения 1.35 в, 1.45 в, и 1.55 в, а также влияние увеличения тайминга TRCD от 6 до 9.

Разгон памяти G.Skill ECO PC3-12800 CL7

Как Вы можете видеть из представленных результатов разница в скорости, при изменении напряжения от 1.35 в до 1.55 в, довольно большая и может составлять 160 МГц, в некоторых случаях. Здесь возникает резонный вопрос, а стоит ли покупать данную память на 1.35 в и терять эту разницу в производительности. Данную разницу между низковольтной (1.35 в) и стандартной (1.55 в) памятью мы подробно рассмотрим в разделе: Потребляемая мощность и температура.

Также стоит добавить, что эта память определенно сможет пройти другие бенчмарки и на более высоких скоростях, но тесты LinX и HCI Memtest снижают этот максимальный порог. Ослабляя вторичные тайминги, такие как TRFC, Rank to Read Delay и Refresh to Refresh, Вы можете получить некоторый дополнительный прирост частоты (самое большее 10 МГц), но производительность, потерянная в результате установки более слабого вторичного тайминга, сводит прибавку в частоте на нет.

Далее показаны скриншоты с результатом разгона для таймингов 6-6-6, при напряжениях 1.35 в (слева), 1.45 в (в середине) и 1.55 в (справа). При TRCD = 6 мы не смогли серьезно продвинуться по частоте, увеличив ее только 19 МГц, при поднятии напряжения от 1.35 в до 1.55 в.

Тайминги 6-6-6 G.Skill ECO PC3-12800 CL7

При TRCD = 7 частота продвинулась лучше, чем при TRCD 6 и нам удалось получить прирост 71 МГц при увеличении напряжения с 1.35 в до 1.55 в.

Тайминги 6-7-6 памяти G.Skill ECO

Когда было установлено значение TRCD 8, память показала отличный разгон при небольшом увеличении напряжения. Мы получили прирост 126 МГц при увеличении напряжения с 1.35 в до 1.55 в. Нужно отметить, что память ECO не запускается на 800 МГц на напряжении 1.35 в с таймингами по спецификации 7-8-7 2T, если у Вас BCLK разогнана вне стокового значения 133. Нам понадобилось напряжение 1.45 в, чтобы достичь 800 МГц, а на 1.35 в у нас получилось только 754 МГц, что меньше на 50 МГц. Но так как указанная в спецификации частота данных модулей устойчива на стоковой BCLK, то мы не видим в этом проблемы. Просто помните об этом, когда будете разгонять модули ECO.

Тайминги 6-8-6 модулей G.Skill ECO

Значение TRCD 9 дало наибольший прирост по частоте при увеличении напряжения, увеличение 159 МГц! Увеличение CAS и TRP не дало нам подняться выше 967 МГц, таким образом, мы придерживались таймингов 6-9-6.

Разгон памяти G.Skill ECO с таймингами 6-9-6

Мы обнаружили небольшую странность данного комплекта G.Skill. Это выражалось в том, что эта память с таймингами 7-8-7 и 6-8-6 взяла одинаковые частоты. Это вероятно из-за того, что для этого комплекта используют разные чипы, некоторые из которых, возможно, не работают на частоте по спецификации при CAS 6. В целом, память ECO способна на приличный разгон, а это значит, что любой пользователь сможет получить для себя дополнительную выгоду в производительности от оперативной памяти G.Skill ECO.



Понравилась новость? Поделись с друзьями!

Обновлено 08.08.2010 10:37
 

Извините, у Вас недостаточно прав для комментирования.

Заметили ошибку в тексте?

Сообщите админу - выделите текст с ошибкой и нажмите Shift+Enter.
Спасибо!

Подписка на новости сайта


Ваше имя или ник:

Ваш email:

Авторизация

Популярные статьи