Железный сайт

DDR4, продемонстрированная на ISSCC, будет доступна в 2014 году

Ожидается, что следующий стандарт памяти DRAM - DDR4 будет принят в широком масштабе к 2014 году. Прототипы будущей памяти компании начнут производить несколько раньше. Такие данные были обнародованы на конференции International Solid-State Circuits, проходившей с 19 по 23 февраля.

Две компании готовы похвастаться своими разработками уже сейчас. Первые, это Hynix, которые имеют работающую память DDR4. Микросхема функционирует на частоте 2400 МГц и потребляет напряжение 1.2 В. Второй компанией, имеющей память DDR4, была Samsung. Частота их образца составляет 2133 МГц с напряжением 1.2 В.

Hynix использовали чипы, выполненные по техпроцессу 38 нм, а Samsung - 30 нм. Для сравнения, при тех же нормах техпроцесса DDR3 требует для работы 1.3 или 1.5 В.

Таким образом, от DDR4 ожидается не только увеличение производительности, но и понижение энергопотребления. По некоторым оценкам экономия энергии может составить до 40 % по сравнению с предыдущим поколением. Что касается интерфейса, по которому они будут подключаться, то он будет отличаться от предшественников.

Крупные игроки на рынке памяти, такие, как Elpida, Micron и Nanya пока еще не показывали свои прототипы DDR4. До следующего года мы вряд ли увидим много образцов памяти DDR4. Планируется, что производство памяти должно начаться в 2013 году, а в широком доступе память появится не раньше 2014. И это по самым оптимистичным прогнозам.

Автор: Slon
Источник: Железный сайт



• Micron увеличивают объемы продаж графической памяти
• В европейских магазинах уже появляются SSD Samsung 980 PCIe 3.0 x4
• Популярные чехлы для Samsung Galaxy S9
• Интересные новости о телевизорах Samsung
• Возможности cмарт-часов и фитнес-браслетов Samsung Galaxy

Понравилась новость? Поделись с друзьями!