Железный сайт

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
Главная Новости железа Компания Samsung "берет планку" в 10 нм
Компания Samsung "берет планку" в 10 нм
Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 
Автор: Андрей Миронов   
17.11.2012 16:22

Samsung переходит на нормы 10 нм 64 Гб eMMC для мобильных устройств

Компания Samsung на днях объявили о том, что 64 Гб мультимедийные карты (eMMC) будут выпускаться с использованием 10 нм техпроцесса. Новая память NAND 64 Гб была запущена в производство в конце прошлого месяца. Южно-корейский производитель решил применять высокоэффективную память, произведенную с использованием 10 нм техпроцесса для новых решений eMMC Pro Class 2000.

Samsung берет 10 нм

Новинка имеет показатели 2000 IOPS (операций в секунду) при записи и 5000 IOPS (операций в секунду) при чтении данных. Последовательные скорости чтения и записи составляют 260 Мб/сек и 50 Мб/сек, соответственно. Это примерно в 10 раз быстрее, чем карты памяти класса 10. Для последней эти показатели составляют 24 Мб/сек и 12 Мб/сек. Такая прибавка в скорости хорошо сглаживает воспроизведение мультимедийного контента на мобильных устройствах.

Как с гордостью отмечают в руководстве Samsung Electronics, новый формат eMMC значительно укрепляет технологические позиции Samsung на рынке различных решений для хранения данных. Больше того, в Samsung надеются значительно расширить номенклатуру продукции на базе 10 нм техпроцесса, за счет потребностей производителей мобильных устройств. Данное технологическое решение позволит мобильным устройствам в полной мере удовлетворять требованиям современного рынка.


Автор: Administrator
Источник: Железный сайт



Похожие материалы:

Понравилась новость? Поделись с друзьями!

Обновлено 17.11.2012 16:28
 

Извините, у Вас недостаточно прав для комментирования.

Заметили ошибку в тексте?

Сообщите админу - выделите текст с ошибкой и нажмите Shift+Enter.
Спасибо!

Подписка на новости сайта


Ваше имя или ник:

Ваш email:

Авторизация

Популярные статьи