Железный сайт

Тайминги памяти

В данной главе мы вкратце объясним, что означают тайминги памяти. Прежде всего, что такое задержка или латентность. Задержка - время, прошедшее между запросом и полученным на него ответом. Поэтому, чем задержка меньше, тем быстрее работает память.

Числа, указанные на памяти CL7-9-7-24 (2T). Что это такое? Обозначаются они CAS-tRCD-tRP-tRAS CMD (соответственно), и измеряются они в тактах. Пояснения по каждому из этих значений приводятся ниже.

CAS Latency

Несомненно, один из самых значимых таймингов. CAS Latency показывает время ожидания, прошедшее с момента подачи запроса процессором до того, как оперативная память откроет первую ячейку для чтения. Другими словами, CAS Latency - задержка между сигналом CAS и доступностью требуемых данных. Данная задержка оказывает существенное влияние на производительность памяти. Чем ниже CAS Latency, тем выше производительность.

tRCD

Эта задержка - время, проходящее с команды активации до операции чтения - записи. Иначе говоря, tRCD - число тактов, необходимое для активации строки банка памяти. Если доступ к памяти осуществляется последовательно, то строка уже является активной, и tRCD не оказывает существенного влияния. При случайном доступе к памяти текущая активная строка должна быть деактивирована, а затем активизирована новая строка. В последнем случае низкое значение tRCD может увеличить производительность. Однако выставление слишком низкого значения tRCD может привести к нестабильности системы.

tRP

tRP - минимальное время между деактивацией текущей строки и активацией следующей строки в одном и том же банке памяти.

tRAS

Архитектура памяти напоминает электронную таблицу со строками и столбцами. Столбец со строками условно можно назвать банком памяти. Для получения данных из памяти, процессор сначала определяет к какой строке памяти нужен доступ, а затем активирует эту строку через сигнал RAS. После того, как строка активирована, к ней можно обращаться много раз, пока данные не будут исчерпаны. Задержка tRAS имеет меньший эффект на производительность, чем вышеперечисленные тайминги, но может отрицательно сказаться на стабильности, если значение выставлено неправильно.

Command Rate

Command Rate - время, затрачиваемое на обмен командами между контроллером памяти и чипами модуля RAM. Как правило, значение 1 или 2.

Тестирование и разгон памяти - это процесс проб и ошибок и успех зависит от затраченного времени.

Традиционная схема разгона памяти: если Вы проводите разгон системы путем увеличения системной шины, то сначала ослабьте тайминги памяти и увеличивайте частоту памяти, изменяя доступные делители до тех пор, пока система не перестанет загружаться. Можно также понизить множитель процессора, а затем еще немного увеличить FSB. После этого можно заняться заменой таймингов на более агрессивные. Так, постепенно Вы подберете требуемые параметры, после чего следует проверить память на стабильность при помощи специализированного софта.

Понравилась новость? Поделись с друзьями!